[发明专利]具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510888321.4 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105633166B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条纳米线；至少一个半导体层，分别绕各纳米线外周形成以至少部分环绕相应纳米线，且绕各纳米线形成的各半导体层彼此分离；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出各半导体层；以及在隔离层上形成的与半导体层相交的栅堆叠，其中栅堆叠包括至少部分环绕各半导体层外周的栅介质层以及栅导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 质量 外延 纳米 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条纳米线；至少一个半导体层，分别绕各纳米线外周形成以至少部分环绕相应纳米线，且绕各纳米线形成的各半导体层彼此分离；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出各半导体层；以及在隔离层上形成的与半导体层相交的栅堆叠，其中栅堆叠包括至少部分环绕各半导体层外周的栅介质层以及栅导体层，其中，在衬底与隔离层之间还设置有与各纳米线外周的半导体层材料相同的半导体层；在纳米线长度方向上的至少一侧，纳米线与绕各纳米线外周形成的半导体层没有被锚定到衬底上，呈悬梁结构。
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