[发明专利]一种InGaN基蓝光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510891176.5 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105405915B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;张子辰;林志霆;陈淑琦 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/108;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n‑InGaN层；所述Si掺杂的n‑InGaN层的一侧表面上覆盖有i‑InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i‑InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本发明还公开了上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。本发明的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 基蓝光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InGaN基蓝光探测器，其特征在于，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n‑InGaN层；所述Si掺杂的n‑InGaN层的一侧表面上覆盖有i‑InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i‑InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
