[发明专利]一种大面积超薄阳极氧化铝多孔膜的制备方法在审
申请号: | 201510893894.6 | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105316743A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 郭秋泉;赵呈春;杨军 | 申请(专利权)人: | 郭秋泉 |
主分类号: | C25D11/12 | 分类号: | C25D11/12;C25D11/18 |
代理公司: | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人: | 郭防 |
地址: | 351164 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种大面积超薄阳极氧化铝多孔膜的制备方法,包括以下步骤:S1、氧化铝多孔膜的制备;S2、预扩孔处理;S3、有机物支撑层的制备;S4、铝基和阻挡层的去除。本发明提供的一种大面积超薄阳极氧化铝多孔膜的制备方法,能够制备得到大面积超薄的阳极氧化铝多孔膜,结构规整,厚度仅为100nm~400nm。通过对多孔膜的预扩孔处理以及控制有机物支撑层的厚度,使多孔膜既不易破碎,又能与有机物支撑层粘合紧密的作用,使得多孔膜可以方便的移转到目标衬底。可以获得面积超过50cm2的超薄阳极氧化铝多孔膜。本发明的制备方法,步骤少,操作简单,制备条件温和且易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 超薄 阳极 氧化铝 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大面积超薄阳极氧化铝多孔膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、氧化铝多孔膜的制备;S2、预扩孔处理;S3、有机物支撑层的制备;S4、铝基和阻挡层的去除。
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