[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，设计由IGZO图案及其对应区域的第一电极条、第一沟道和第二金属层形成CMOS反相器的第一晶体管、由OSC图案及其对应区域的第二电极条、第二沟道和第二金属层形成CMOS反相器的第二晶体管，从而实现基于IGZO和OSC制造阵列基板的CMOS反相器或CMOS环形振荡器。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基材上依次形成第一金属层和绝缘层，所述第一金属层包括沿预定方向间隔排布的第一电极条和第二电极条；在所述绝缘层上形成沿所述预定方向间隔排布的IGZO图案，所述IGZO图案位于所述第一电极条的上方；在所述绝缘层和所述IGZO图案层上形成第二金属层，所述第二金属层形成有沿所述预定方向交错排布的第一沟道和第二沟道，所述第一沟道暴露其对应区域的所述IGZO图案，所述第二沟道暴露其对应区域的所述绝缘层且位于所述第二电极条的上方；在所述第二沟道的对应区域形成OSC图案；在所述绝缘层、所述第二金属层、所述IGZO图案以及所述OSC图案上形成一平坦钝化层；其中，所述第一电极条、所述第一沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述IGZO图案形成第一晶体管，所述第二电极条、所述第二沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述OSC图案形成第二晶体管，且所述第一晶体管和所述第二晶体管串联形成一CMOS反相器。