[发明专利]一种SiO2陶瓷基复合材料的钎焊方法

摘要

一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，本发明涉及复合材料的钎焊方法。本发明要解决现有SiO₂陶瓷基复合材料表面活性钎料的润湿性极差，难以实现复合构件的高质量连接甚至于有效地连接，且采用钎焊方法连接SiO₂陶瓷基复合材料-金属构件时，由于SiO₂陶瓷基复合材料和金属材料的热膨胀系数不同，使得接头在钎焊过程中产生很大的残余应力的问题。方法：首先打磨，然后对SiO₂陶瓷基复合材料表面机械打孔，再进行等离子体处理，最后钎焊SiO₂陶瓷基复合材料与金属。本发明用于SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法。

主权项

一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、将SiO₂陶瓷基复合材料和金属材料分别用砂纸打磨，然后依次利用丙酮清洗10min～20min，得到清洗后的SiO₂陶瓷基复合材料和清洗后的金属材料；二、用打孔机在清洗后的SiO₂陶瓷基复合材料待焊面打盲孔，其中盲孔均匀分布在SiO₂陶瓷基复合材料待焊面表面，盲孔的直径为0.5mm～5mm，盲孔深度为1mm～10mm，盲孔之间的距离为1.0mm～5.0mm，得到表面多孔结构的SiO₂陶瓷基复合材料；三、将表面多孔结构的SiO₂陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，调节氩气气体流量为5sccm～40sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～300Pa，并在压强为100Pa～300Pa和氩气气氛下，将温度升温至150℃～500℃；四、通入甲烷，调节氩气气体流量为5sccm～100sccm，调节甲烷气体流量为5sccm～100sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为50Pa～300Pa，然后在射频功率为200W、压强为50Pa～300Pa和温度为150℃～500℃的条件下进行等离子体处理，时间为1min～20min，得到等离子体处理后的SiO₂陶瓷基复合材料；五、将钎料置于等离子体处理后的SiO₂陶瓷基复合材料与清洗后的金属材料的待焊接面之间，得到待焊件，将待焊件置于真空钎焊炉中，对真空钎焊炉抽真空，然后将真空钎焊炉温度升温至800℃～1300℃，并在温度为800℃～1300℃下保温5min～30min，最后以降温速度为5℃/min将温度由800℃～1300℃冷却至室温，即完成SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法。