[发明专利]基于Flip-chip连接的集成电路封装结构及封装工艺在审
| 申请号： | 201510895922.8 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105551971A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘兴波;梁大钟;宋波 | 申请（专利权）人： | 广东气派科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果;吴雅丽 |
| 地址： | 523330 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于Flip-chip连接的集成电路封装结构及封装工艺，包括有芯片、设于芯片上的金属凸点、镀镍钯金层和倒角镀银层、塑封体；所述倒角镀银层为相互独立的镀银层段，所述芯片上设有金属凸点，金属凸点、芯片、镀镍钯金层和倒角镀银层塑封于塑封体中，金属凸点、芯片、倒角镀银层和镀镍钯金层构成了电路的电源和信号通道。本发明同时提供了上述结构的封装工艺；极大地降低了框架在腐蚀变薄后，在模具内滑动的风险；同时，降低了塑封料压力，适用于集成电路封装中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 flip chip 连接 集成电路 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于Flip‑chip连接的集成电路封装结构，其特征是：包括有芯片、设于芯片上的金属凸点、镀镍钯金层和倒角镀银层、塑封体；所述倒角镀银层为相互独立的镀银层段，所述芯片上设有金属凸点，金属凸点、芯片、镀镍钯金层和倒角镀银层塑封于塑封体中，金属凸点、芯片、倒角镀银层和镀镍钯金层构成了电路的电源和信号通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
