[发明专利]先进工艺中的静电保护电路

摘要

本发明公开一种静电保护电路，其包括：形成于衬底中的阱区；自衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区、第一有源区和第二有源区，该第二有源区的一部分位于阱区中，另一部分位于衬底中；形成于衬底的上表面之上的栅极氧化层及与位于栅极氧化层之上的多晶硅栅极；自衬底的上表面向下延伸而成的并位于阱区中的第三有源区和阱接触区；形成于衬底接触区和第一有源区上方的第一金属硅化物区；形成于多晶硅栅极上方的第二金属硅化物区；形成于第三有源区和阱接触区上方的第三金属硅化物区；其中第一金属硅化物区和第二金属硅化物区与第一连接端相连，第三金属硅化物区与第二连接端相连。这样，改进了带金属硅化物工艺的静电保护电路的性能。

主权项

一种静电保护电路，其特征在于，其包括：衬底；形成于所述衬底中的阱区；自衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区；自衬底的上表面向下延伸而成的第一有源区，其中第一有源区与衬底接触区相互间隔，并且所述衬底接触区较第一有源区距离所述阱区更远；自衬底的上表面向下延伸而成的第二有源区，该第二有源区的一部分位于所述阱区中，另一部分位于所述衬底中；形成于所述衬底的上表面之上的栅极氧化层，其中所述栅极氧化层位于第一有源区和第二有源区之间并与第一有源区和第二有源区相邻；位于所述栅极氧化层之上的多晶硅栅极；自衬底的上表面向下延伸而成的并位于所述阱区中的第三有源区，其中该第三有源区与所述第二有源区相邻；自衬底的上表面向下延伸而成的并位于所述阱区中的阱接触区，其中该阱接触区与所述第三有源区相邻；形成于所述衬底接触区和第一有源区上方的第一金属硅化物区；形成于所述多晶硅栅极上方的第二金属硅化物区；形成于第三有源区和阱接触区上方的第三金属硅化物区；其中第一金属硅化物区和第二金属硅化物区通与第一连接端相连，第三金属硅化物区与第二连接端相连。