[发明专利]石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510898403.7 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN105536840A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 闵宇霖;周凡琪;李涛涛 申请(专利权)人: 上海电力学院
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J23/31
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 陈亮
地址: 200090 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中反应,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下煅烧,即得到石墨烯纳米带负载的半导体三维光催化材料。与现有技术相比,本发明,制备工艺简单,有效提高了催化剂的活性和光催化性能,石墨烯纳米带的加入,使得该材料在可见光区域有了明显的响应。
搜索关键词: 石墨 纳米 负载 半导体 三维 光催化 材料 制备 方法
【主权项】:
石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中,控制温度为140‑180℃,反应16‑24h,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下,控制温度为400‑600℃煅烧2‑5h,即得到石墨烯纳米带负载半导体三维光催化材料。
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