[发明专利]一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510899866.5 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105428451A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蕊;薛超;石璘;张无迪;姜明序 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法，包括硅衬底；ODR全方位反射器，位于硅衬底之上，由低折射率的介质层和高反射率的金属层构成；太阳电池外延层；栅线及背电极。ODR全方位反射器可使透过电池基体的长波光子充分反射,增加电池对长波光的吸收,从而提高光的利用率，提高太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 全方位 反射 倒装 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池，包括：砷化镓衬底(140)；太阳电池(130)；全方位反射器；金属键合层；Si导电衬底(100)；砷化镓衬底腐蚀后制作的金属栅线(151)和金属背电极(152)，其特征在于，位于太阳电池(130)外延层之上的全方位反射器包括介质层(122)和金属反射层(121)，介质层(122)的厚度在50‑500nm，采用折射率低的SiOx、SiNx或TiO2中的一种或几种组合，金属反射层(121)的厚度100‑500nm，采用反射率高的Ag、Al或Au。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
