[发明专利]基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路

摘要

本发明提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，通过正向扫描直流控制信号(U2D)和反向扫描直流控制信号(D2U)控制第一、第二、及第三节点(Q(n)、P1(n)、P2(n))的电位，时钟信号(CK(M))仅负责对应级GOA单元的输出，能够有效的降低时钟信号的负载，保证多级GOA单元连接后时钟信号的整体负载降低，提升GOA电路的输出稳定性，还可以实现GOA电路的正反向扫描。

主权项

一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多级GOA单元，每一级GOA单元均包括：扫描控制单元(100)、正向扫描下拉单元(200)、反向扫描下拉单元(300)、及输出单元(400)；设n为正整数，除第一级、第二级、倒数第二级、及最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：所述扫描控制单元(100)包括：第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于上两级第n‑2级GOA单元的输出端(G(n‑2))，源极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；第三薄膜晶体管(T3)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于下两级第n+2级GOA单元的输出端(G(n+2))，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极，源极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)；以及第四薄膜晶体管(T4)，所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；所述正向扫描下拉单元(200)包括：第五薄膜晶体管(T5)，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第二节点(P1(n))；第六薄膜晶体管(T6)，所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，漏极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十三薄膜晶体管(T13)，所述第十三薄膜晶体管(T13)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，漏极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第九薄膜晶体管(T9)，所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；以及第十薄膜晶体管(T10)，所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于输出端(G(n))；所述反向扫描下拉单元(300)包括：第八薄膜晶体管(T8)，所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第三节点(P2(n))；第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第三节点(P2(n))；第十四薄膜晶体管(T14)，所述第十四薄膜晶体管(T14)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，漏极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十一薄膜晶体管(T11)，所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；以及第十二薄膜晶体管(T12)，所述第十二薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于输出端(G(n))；所述输出单元(400)包括：第二薄膜晶体(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，漏极电性连接于输出端(G(n))；以及自举电容(C1)，所述自举电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n))，另一端电性连接于输出端(G(n))；所述正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的电位相反。