[发明专利]一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器在审
申请号: | 201510900815.X | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105349967A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 苏艳波;赵星梅;克雷格·伯考;兰云峰 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器,在本体内设有辐射状的气体分配主管,在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管,并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小,形成树状的气体分配网络,使从气体分配网络中心的进气管通入的反应气体或蒸汽可由众多规律分布的出气管垂直均匀地吹向所覆盖的硅片表面,可实现在硅片上的均匀反应、提高反应效率、节约反应气体消耗及缩小设备体积,还可使吹扫气体容易将气体分配网络边缘位置的残留气体吹扫干净,有效防止在ALD反应中误发生CVD反应,具有提高ALD反应的产率和良率及降低成本的显著特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 薄膜 沉积 技术 气体 分配器 | ||
【主权项】:
一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器,设于原子层沉积设备反应腔室内,位于放置硅片的基座正上方,其特征在于,所述气体分配器包括一本体,所述本体内设有气体分配网络,所述气体分配网络包括若干个气体分配主管,其以内端作为共同连通点形成均匀的辐射状设置,各气体分配主管两侧以相同夹角分别均匀设有若干气体分配支管,位于相邻气体分配主管之间的各气体分配支管相互平行设置,所述气体分配主管通过由其共同连通点上方引出的进气管连通至本体的进气口,沿各气体分配支管均匀地向下垂直设有若干出气管,各出气管分别连通至本体下端面对应的出气口,所述气体分配主管、支管的外端封闭;其中,各气体分配主管、支管的横截面积按朝向其各自的外端方向逐渐减小设置,气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向逐渐减小设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510900815.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:芹菜绿色保健馒头配方及其制备工艺
- 下一篇:装置异常监视方法以及系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的