[发明专利]静态随机存取存储器有效

专利信息
申请号: 201510900831.9 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN106653755B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 永井享浩 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L29/423;H01L21/8244
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种静态随机存取存储器,包括至少一个静态随机存取存储单元。静态随机存取存储单元的栅极布局包括第一至第四条状掺杂区、凹入式栅极线、第一栅极线及第二栅极线。第一至第四条状掺杂区依序设置于基底中且彼此分离。凹入式栅极线相交于第一至第四条状掺杂区。第一至第四条状掺杂区在与凹入式栅极线的相交处断开。第一栅极线相交于第一条状掺杂区与第二条状掺杂区。第一条状掺杂区与第二条状掺杂区在与第一栅极线的相交处断开。第二栅极线相交于第三条状掺杂区与第四条状掺杂区。第三条状掺杂区与第四条状掺杂区在与第二栅极线的相交处断开。
搜索关键词: 静态 随机存取存储器
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器,包括至少一静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的栅极布局包括:第一条状掺杂区、第二条状掺杂区、第三条状掺杂区与第四条状掺杂区,依序设置于一基底中且彼此分离,其中该第一条状掺杂区与该第四条状掺杂区具有第一导电型,且该第二条状掺杂区与该第三条状掺杂区具有第二导电型;凹入式栅极线,相交于该第一条状掺杂区、该第二条状掺杂区、该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区,其中该第一条状掺杂区、该第二条状掺杂区、该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区在与该凹入式栅极线的相交处断开;第一栅极线,相交于该第一条状掺杂区与该第二条状掺杂区,其中该第一条状掺杂区与该第二条状掺杂区在与该第一栅极线的相交处断开;以及第二栅极线,相交于该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区,其中该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区在与该第二栅极线的相交处断开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶科技股份有限公司,未经力晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510900831.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top