[发明专利]MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510901150.4 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105470001A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;晏梦雨;双逸 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86;H01G11/30;G01R31/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件及其制备方法和原位分析其容量增强机制，包括如下步骤：1)将MoS2纳米薄片正极分散在带有氧化层SiO2的硅基底上，氧化层SiO2作为背栅介电层，硅基底作为背栅电极；2)在所述的MoS2纳米薄片正极上制作金属源极和漏极，并制作对电极金属作为电容器负极和离子液体顶栅电极；3)在金属源极和漏极上制作保护层，得到制备好的基片；4)将离子液体电解液滴涂在基片表面，完成MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的组装。本发明实现了MoS2纳米薄膜充放电过程中的电子和离子的调控，为提升MoS2超级电容器容量提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | mos sub 纳米 薄片 场效应 晶体管 超级 电容器 复合 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的制备方法，包括如下步骤：1)将MoS2纳米薄片正极分散在带有氧化层SiO2的硅基底上，氧化层SiO2作为背栅介电层，硅基底作为背栅电极；2)在所述的MoS2纳米薄片正极上制作金属源极和漏极，并制作对电极金属作为电容器负极和离子液体顶栅电极；3)在金属源极和漏极上制作保护层，得到制备好的基片；4)将离子液体电解液滴涂在基片表面，完成MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的组装。
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