[发明专利]一种高效太阳电池的制备方法有效
申请号: | 201510901412.7 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105529381B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 肖斌;宋慧娟 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司;湖北天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L21/02 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效太阳电池的制备方法,包括步骤:将原料硅片经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结,得到高效太阳电池。该方法采用的是先背抛光再制作选择性发射极的顺序将选择性发射极技术和背抛光技术结合,可节省对HNO3和HF大量的成本消耗,简单易行,相比IBC电池、异质结等高效电池,不仅可以减少工艺复杂性,还能进行大规模生产。该方法制备的太阳电池Uoc、Isc以及Eff得到了显著的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高效太阳电池的制备方法,其特征在于,包括步骤:将原料硅片依次经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结,得到高效太阳电池;所述的扩散包括:在三氯氧磷气氛中对制绒后的硅片进行单面低方阻扩散,扩散后方阻控制在50Ω/□‑55Ω/□;所述的抛光包括:硅片的扩散面朝上放入60℃‑80℃碱溶液中进行背面抛光,清洗,烘干;抛光过程中,所述的碱溶液是质量百分浓度为10%‑35%的KOH水溶液或者质量百分浓度为10%‑35%的NaOH水溶液;所述背面抛光的时间为5.5min‑8.0min;抛光过程中,所述硅片以1.5m/min‑2.2m/min的速率通过60℃‑80℃碱溶液;所述的制作选择性发射极包括:a.在抛光后的硅片的电极栅线区域印刷油墨作为掩模,烘干;b.刻蚀:将硅片的扩散面朝上,在扩散面铺满水膜,放入第一HNO3/HF混合水溶液中对硅片背面进行第二次背面抛光,清洗;再将硅片放入第二HNO3/HF混合水溶液中对无油墨保护的发射极区域进行正刻蚀,形成浅扩散层,清洗;所述的第一HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为30%‑42%,HF的质量百分浓度为2%‑10%;所述的第二HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为10%‑26%,HF的质量百分浓度为2%‑12%;c.去油墨处理:将硅片依次经过20℃‑30℃粗碱溶液和20℃‑30℃精碱溶液将油墨洗掉,形成清晰的蜡印区域,清洗后将硅片放入HF水溶液中去除硅片上存在的氧化层,清洗,烘干,硅片上形成选择性发射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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