[发明专利]一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法

摘要

本发明公开了一种改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，属于微电子技术领域。本发明的改善SiC/SiO₂界面态密度方法具体包括以下步骤：基片表面清洗；底层SiO₂层的生长；对底层SiO₂栅介质层的SiC外延片进行PDS退火；对进行了PDS退火的SiC外延片进行顶层SiO₂层的淀积；底部衬底电极的生长，并进行电极退火；对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。本发明通过在P氛围中进行退火，能有效的减小SiC/SiO₂表面界面态密度，从而改善SiC/SiO₂界面质量，提高器件特性。

主权项

一种改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A1、基片表面清洗：对N‑/N+型SiC外延片的表面进行标准湿法工艺清洗；A2、底层栅介质层生长：对进行了标准清洗的SiC外延片进行底层SiO₂层的生长；A3、PDS退火：对生长了SiO₂栅介质层的SiC样品在PDS炉子中进行P氛围退火；A4、顶部栅介质层的淀积：对进行PDS退火之后的SiC样品利用LPCVD方法淀积顶部SiO₂介质层；A5、底部衬底电极的形成：对进行了NO退火的SiC外延片进行底部衬底电极的生长，并进行电极退火；A6、栅电极的形成：对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。