[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510904217.X | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106856168B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力限制层和沟道层；在基底上形成栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道层，并在剩余沟道层侧壁内形成凹槽；去除栅极结构两侧的应力限制层和部分厚度的基底，形成第一开口；填充第一开口形成应力层。本发明通过在基底内设置应力限制层，使位于栅极两侧基底内的应力层分为位于沟道层内具有凸出的部分以及位于应力限制层和衬底内的部分。位于沟道层内应力层的凸出能够向沟道层内的沟道引入应力，位于应力限制层和衬底内的应力层能够增大应力层的体积，以增大沟道区的应力。以提高沟道内载流子的迁移率，达到改善晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力限制层和沟道层；在所述基底上形成栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道层，并在剩余沟道层侧壁内形成凹槽；去除栅极结构两侧的应力限制层和部分厚度的基底，形成第一开口；向所述第一开口和凹槽内填充应力材料，形成应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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