[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510904219.9 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106856190B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，基底包括核心区和外围区，基底的核心区和外围区表面均包括鳍部以及位于鳍部之间的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面；形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙；向核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子，防穿通离子扩散进入鳍部，在鳍部内形成防穿通层；进行退火工艺处理，以激活防穿通层。本发明通过在外围区鳍部侧壁形成侧墙，使外围区防穿通离子注入位置远离外围区鳍部，从而降低经扩散进入外围区鳍部底部的防扩散离子的浓度，降低外围区鳍部的防穿通层掺杂浓度，以提高所形成晶体管的性能，改善所形成半导体结构的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n形成基底，所述基底包括核心区和外围区，所述基底的核心区和外围区表面均包括鳍部以及位于鳍部之间的隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；/n形成侧墙，所述侧墙覆盖位于外围区鳍部的侧壁且暴露出位于核心区鳍部的侧壁；/n形成所述侧墙之后，向所述核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子，所述防穿通离子扩散进入鳍部，在鳍部内形成防穿通层；/n进行退火工艺处理，以激活所述防穿通层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510904219.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浅沟槽隔离结构及其形成方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
