[发明专利]一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510905593.0 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105463393B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;谢晶;刘栋;高赐国;张晋敏;肖清泉;陈茜;廖杨芳;范梦慧;黄晋 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22;H01F10/18 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备工艺，它包括下述步骤：首先，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；然后在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构，使Fe膜和Si膜的膜厚比约为3:1；最后放置于高真空热处理炉中650～750℃退火1～4小时获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si磁性颗粒膜。与现有技术相比，本发明采用分层溅射的方法制备Fe3Si磁性颗粒膜，工艺参数易于控制，且复合薄膜均匀，重复性良好，在工艺复杂性，成本和大规模生产上都有着突出优越性，在自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 fe3si 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构；第三步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中退火，获得Fe‑Si化合物中的金属相Fe3Si 磁性颗粒膜；所述第二步骤中的Si/Si/Fe结构，沉积Fe膜厚度与Si膜厚度比为2:1‑4:1；在所述第三步骤中，高真空热处理炉真空度达到8.0×10‑4Pa后升温至650～750℃，退火时间为1～4小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510905593.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
