[发明专利]电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存有效
| 申请号： | 201510905821.4 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106611615B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 廖绍憬;王炳琨;陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的操作方法包括下列步骤：进行电阻式记忆胞的形成操作；判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作；当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象。藉此，可有效使无法藉由一般的形成操作来保存数据的电阻式记忆胞能够藉由互补切换现象来具备数据保存能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 记忆 操作方法 内存 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，包括：进行电阻式记忆胞的形成操作，其中所述形成操作是对所述电阻式记忆胞施加偏压，以使所述电阻式记忆胞中形成导电丝，其中在所述形成操作中，提供接地电压到所述电阻式记忆胞的源极线；在完成所述形成操作后，判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作，其中所述第一状态为设定状态，其中所述第一操作为所述形成操作或设定操作；以及当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象，其中所述第二操作为重置操作，其中进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作包括下列步骤：提供第一电压至所述电阻式记忆胞的字符线，提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，并提供接地电压至所述电阻式记忆胞的位线。
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