[发明专利]一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201510906003.6 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105428034A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何兴伟;方允樟;李文忠;马云;金林枫 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/30;H01F27/24;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 321004 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法，本发明提出了底层埋入式的概念，即在底导线层光刻实现后不直接镀膜，而是采用刻蚀的方法使衬底下凹，再镀膜，将底导线层斜纹埋入凹槽，并通过控制厚度，让底导线层斜纹的顶部与衬底基本持平。然后在该平面上依次镀绝缘层、磁芯层、绝缘层、顶条纹导线层。通过纯光刻法，实现结构优良的三维薄膜电感器。并将尺寸减小到微米级。同时又保证生长的底导线层上平面与衬底面持平，使得其后的膜层生长在水平面上。成功的避免了磁性层的弯曲及各层在垂直平面方向部分交叠的情况，结构上达到了膜层在垂直方向上是完全分离且均是平整的效果,而且达到了较大的占空比和电感值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底层 埋入 式微 三维 薄膜 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器，包括衬底、导线底层、导线顶层和包裹有绝缘层的磁性层，所述导线顶层位于所述导线底层上，所述磁性层位于所述导线顶层和所述所述导线底层之间，其特征在于：所述导线底层埋入衬底内，所述导线底层的上表面与衬底平面持平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江师范大学，未经浙江师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510906003.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
