[发明专利]一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法有效
| 申请号： | 201510910126.7 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105551934B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 姜礼华;肖业权;谭新玉;孙宜华;向鹏;肖婷 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 点碳硅基 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率50W，射频频率13.56MHz，基片温度180℃，腔体压强60Pa，使用氢气稀释到体积浓度为10%的SiH4 气体30sccm，纯度为99.999% 的CH4气体20sccm，镀膜时间3分钟；（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率60W，射频频率13.56MHz，基片温度180℃，腔体压强80Pa，纯度为99.999% 的CH4气体30sccm，镀膜时间3分钟；（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复10次；经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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