[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器件在审
| 申请号： | 201510915075.7 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105374815A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;董鹏;金湘亮;周子杰 | 申请（专利权）人： | 湖南静芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市长沙经济技术*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅平面工艺、NPNPN型高维持电压、高峰值电流、可双向箝位瞬态过压的双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，P型衬底上设有N型深阱；所述N型深阱内设有第一P阱、第一N阱、第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区，第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱；第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区，第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极；所述第四N+注入区和第二P+注入区连接到阴极。该器件可用于信号电平为-5V-＋5V芯片引脚的瞬态过压抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 瞬态 电压 抑制 器件 | ||
【主权项】：
一种双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底内设有N型深阱，所述N型深阱内设有对称的第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间设有第一N阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区，第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱的交界处；第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区，第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱的交界处；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极，第四N+注入区和第二P+注入区连接阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
