[发明专利]一种高灵敏度紫外光探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 201510915735.1 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105428435A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 尚恩明;胡少坚;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高灵敏度紫外光探测器，采用紫外光吸收型有机薄膜作为光电吸收层吸收紫外光，并采用具有高迁移率的石墨烯作为电流通道传输载流子，可大大缩短光电反应时间、提高器件光电灵敏度；同时，石墨烯和有机薄膜作为柔性材料，也为器件的柔性集成化提供了一种可行方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 紫外光 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高灵敏度紫外光探测器，其特征在于，包括：一半导体衬底，建立在衬底上的栅极，以及形成沟道的石墨烯片；其中，石墨烯片上叠设有紫外光吸收型有机薄膜，石墨烯片的两端耦合源、漏电极，并通过栅氧层与栅极隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
