[发明专利]一种高效发光二极管芯片的简易制作方法

摘要

本发明公开一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，包括以下步骤：在所述衬底上形成外延发光结构；蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅；在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶；对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒。本发明有效地简化芯片制造工艺，缩短芯片工艺过程时间，降低芯片制造成本，提升芯片的质量。

主权项

一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于；包括以下步骤：S01：提供一衬底，在所述衬底上形成外延发光结构；S02：蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；S03：在电流阻挡层表面定义出N型电极制作区域及切割道；采用ICP蚀刻N型电极制作区域及切割道，深度至N型导电层的高掺部分；S04：蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；然后在P型电极制作区域定义出电流阻挡层面积；采用ICP蚀刻去掉非P型电极制作区域的电流阻挡层，裸露出欧姆接触层；S05：去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；S06：采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅，同样也去除此区域二氧化硅之上的ITO导电层，裸露出N型电极制作区域的N型导电层高掺部分；S07：在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；S08：在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；采用ICP蚀刻去除N型电极制作区域和P型电极制作区域上的芯片保护层，直至裸露出P型电极制作区域的电流阻挡层、ITO导电层及N型电极制作区域的N型导电层高掺部分；S09：分别在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶，形成P型电极及N型电极；S10：对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒，最终形成具有高光效的发光二极管。