[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。所述半导体结构的制作方法提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理；形成所述第一鳍部和所述第二鳍部的过程包括：在所述PMOS区域和所述NMOS区域上形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，直至在所述PMOS区域上的剩余所述硬掩膜层保留为第一初始硬掩膜块，在所述NMOS区域上的剩余所述硬掩膜层保留为第二初始硬掩膜块；刻蚀所述第二初始硬掩膜块，直至剩余所述第二初始硬掩膜块保留为第二硬掩膜块；沿所述第一初始硬掩膜块刻蚀所述PMOS区域，直至形成所述第一鳍部；沿所述第二硬掩膜块刻蚀所述NMOS区域，直至形成所述第二鳍部；同时刻蚀所述第一初始硬掩膜块和所述第二硬掩膜块，直至所述第二硬掩膜块被全部去除，剩余所述第一初始硬掩膜块被保留为所述第一硬掩膜块。