[发明专利]一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构有效
| 申请号： | 201510919059.5 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105428403B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟基双异质结双极型 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括非掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，其特征在于，所述能带渐变层为四层，其位于集电区层和基区层之间的结构如下表所示。![]()
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