[发明专利]一种真空系统有效
申请号: | 201510919699.6 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105552001B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 蔡文 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/56;C23C16/54 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种真空系统,包括:第一腔室、第二腔室、第一真空泵、第二真空泵及控制设备;第一真空泵连接于第一腔室,用于正常工作状态下对第一腔室抽真空,第二真空泵连接于第二腔室,用于正常工作状态下对第二腔室抽真空,第一腔室进一步与第二真空泵连接;控制设备用于在第一真空泵异常停机状态下,使用第二真空泵同时对第一腔室和第二腔室抽真空。通过上述方式,本发明真空系统的第一腔室不会因第一真空泵的异常停机而停机,在第一真空泵修复过程中,通过第二真空泵的运作继续进行生产,从而提高系统可运作时间,提升产能。 1 | ||
搜索关键词: | 真空泵 第一腔室 第二腔室 真空泵连接 真空系统 抽真空 正常工作状态 控制设备 停机 停机状态 产能 运作 修复 生产 | ||
第一腔室、第二腔室、第一真空泵、第二真空泵及控制设备;
所述第一真空泵连接于所述第一腔室,用于正常工作状态下对所述第一腔室抽真空,所述第二真空泵连接于所述第二腔室,用于正常工作状态下对所述第二腔室抽真空,所述第一腔室进一步与所述第二真空泵连接;
所述控制设备用于在所述第一真空泵异常停机状态下,使用所述第二真空泵同时对所述第一腔室和所述第二腔室抽真空;
其中,所述第一真空泵通过第一管路直接或间接与所述第一腔室连接,所述第二真空泵通过第二管路直接或间接与所述第二腔室连接;
所述第一管路上设有第一阀门,所述第二管路上设有第二阀门,所述第一阀门和所述第二阀门之间连接有第三管路;
在第一阀门和第三阀门之间的第一管路上连接有自动功率控制电路和分子泵,在第一阀门和第三阀门的端口之间连接有第四管路。
2.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述控制设备检测所述第一真空泵是否处于正常工作状态下,在所述第一真空泵处于正常工作状态时控制所述第一管路与所述第二真空泵不连通,在所述第一真空泵异常停机状态下,使所述第一管路与所述第二真空泵连通。
3.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述控制设备连接所述第一阀门和第二阀门,其中所述控制设备在所述第一真空泵处于正常工作状态下时,控制所述第一阀门使所述第一真空泵与所述第一腔室之间维持连通状态,并且控制所述第一阀门和所述第二阀门使所述第三管路与所述第一管路不连通,在所述第一真空泵处于异常停机状态时,控制所述第一阀门使所述第一真空泵与所述第一腔室之间维持不连通状态,并且控制所述第一阀门和所述第二阀门使所述第三管路与所述第一管路和所述第二管路连通。
4.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述第一阀门至少包括第一端口、第二端口、第三端口,所述第二阀门至少包括第四端口、第五端口、第六端口,所述第一端口及所述第二端口通过所述第一管路分别连接所述第一腔室及所述第一真空泵,所述第四端口及所述第五端口通过所述第二管路分别连接所述第二腔室及所述第二真空泵,所述第三端口及所述第六端口之间连接有所述第三管路;
其中所述控制设备在所述第一真空泵处于正常工作状态下时,控制所述第一阀门的所述第一端口与所述第二端口维持连通状态,并且控制所述第一端口和所述第三端口不连通,所述第二阀门的所述第五端口和所述第六端口不连通,在所述第一真空泵处于异常停机状态时,控制所述第一阀门的所述第一端口和所述第二端口维持不连通状态,并且控制所述第一端口和所述第三端口连通,控制所述第二阀门的所述第五端口和所述第六端口连通。
5.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述第一阀门及所述第二阀门为T型三通阀。
6.根据权利要求3所述的真空系统,其特征在于,所述第一腔室与所述第一阀门之间连接有分子泵,所述分子泵与所述第一真空泵或第二真空泵同时对所述第一腔室抽真空。
7.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述第一腔室为工艺腔室,所述第二腔室为传送腔室,所述第一腔室与所述第二腔室串联连接。
8.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述第一真空泵及所述第二真空泵为干式机械泵。
9.根据权利要求1所述的真空系统,其特征在于,所述第一真空泵及所述第二真空泵分别连接废气处理装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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