[发明专利]一种复用的与门或门选择电路

摘要

本发明公开了一种复用的与门或门选择电路，通过晶体管的复用结构，可以在一个电路结构中实现了同输入与门和或门的结构设计。而且将对与门和或门输出结果进行选择的选择电路结构转化为了电路中对晶体管的通断进行选择的选择信号，很大程度上减少了对晶体管的使用，与此同时也简化了电路的结构。

主权项

1.一种复用的与门或门选择电路，其特征在于，包括选择端电路、MOS管复用的与门或门电路，其中，所述选择端电路为反相器，其输入端为选择输入端口，输出端为选择输出端口；所述MOS管复用的与门或门电路包括第一MOS管复用的与门或门电路、第二MOS管复用的与门或门电路，其中，所述第一MOS管复用的与门或门电路包括第一至第六PMOS晶体管，第一PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的栅极分别连接第一输入端口，第四PMOS晶体管的栅极连接第二输入端口；第一PMOS晶体管的漏极连接VCC，源极连接第二PMOS晶体管的漏极；第二PMOS晶体管的栅极连接选择输出端口，源极连接第一输出端口；第四PMOS晶体管的漏极连接VCC，源极分别连接第三PMOS晶体管的漏极、第五PMOS晶体管的漏极；第三PMOS晶体管的栅极连接选择输出端口，源极连接第一输出端口；第五PMOS晶体管的源极连接第一输出端口；第六PMOS晶体管的栅极连接第一输出端口，漏极连接VCC，源极连接第二输出端口；所述第二MOS管复用的与门或门电路包括第一至第六NMOS晶体管，第一NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的栅极分别连接第一输入端口，第四NMOS晶体管的栅极连接第二输入端口；第一NMOS晶体管的漏极连接第二NMOS晶体管的源极，源极接地；第二NMOS晶体管的栅极连接选择输出端口，漏极连接第一输出端口；第四NMOS晶体管的漏极分别连接第三NMOS晶体管的源极、第五NMOS晶体管的源极，源极接地；第三NMOS晶体管栅极连接选择输出端口，漏极连接第一输出端口；第五NMOS晶体管的漏极连接第一输出端口；第六NMOS晶体管的栅极连接第一输出端口，漏极连接第二输出端口，源极接地；所述选择端电路包括第一选择端电路、第二选择端电路，其中，第一选择端电路包括第七PMOS晶体管，第七PMOS晶体管的栅极连接选择输入端口，漏极连接VCC，源极连接选择输出端口；第二选择端电路包括第七NMOS晶体管，第七NMOS晶体管的栅极连接选择输入端口，漏极连接选择输出端口，源极接地；所述第一MOS管复用的与门或门电路、第二MOS管复用的与门或门电路为镜像结构。