[发明专利]一种纳米多孔硅的制备方法

摘要

本发明提供了一种利用工业硅粉为原料制备纳米多孔硅的方法。通过对硅粉和镁粉进行合金化处理，制备了前驱体Mg₂Si/Mg复合材料，然后再进行去合金化处理，最后将所得产物进行酸洗、离心、烘干后即可制备出纳米多孔硅，该方法可以提高工业硅粉的利用率，实现硅粉的资源化利用，提高硅粉的附加值，具有原料来源广泛，成本低廉，工艺操作简单的特点，同时所制备的纳米多孔硅具有孔径分布均匀和比表面积大等特点，具有广泛的应用前景。

主权项

一种纳米多孔硅的制备方法，其特征在于，以工业硅粉为原料，通过利用前驱体Mg₂Si‑Mg合金材料的制备以及去合金化的方法制备出纳米多孔硅材料，具体步骤如下：步骤1.将镁粉和工业硅粉放于石英管中，然后用分子泵将石英管抽成真空并密封；步骤2.将石英管放入垂直提拉炉中，以2℃～5℃/min速度升温至700℃～800℃，并保温1h～5h，然后随炉冷至室温，打开石英管，取出Mg₂Si‑Mg合金并将其研磨成粉体；步骤3.将Mg₂Si‑Mg合金粉体和金属氯化物熔盐均匀混合，放于刚玉坩埚中，置于管式炉中，并通入Ar气，然后将温度加热到金属氯化物的熔点，保温10h～15h，进行去合金化处理；步骤4.将步骤3的产物放入盐酸中浸泡5h～10h，然后离心过滤，至溶液的PH值为中性后，在40℃～60℃下真空烘干，制备成纳米多孔硅。