[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：形成包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底上形成图形化的硬掩膜层；在第一区域形成第一伪栅结构，包括第一伪栅氧化层和第一伪栅电极层，在第二区域形成第二伪栅结构，包括第二伪栅氧化层和第二伪栅电极层；去除第一伪栅结构顶部的硬掩膜层和第一伪栅结构；在第一鳍部表面形成第一栅氧化层；去除第二伪栅结构顶部的硬掩膜层和第二伪栅结构；分别在第一区域、第二区域形成第一栅极结构和第二栅极结构。本发明采用硬掩膜层保护第二伪栅结构，避免第二伪栅电极层因形成第一栅氧化层的氧化工艺而被氧化形成氧化层，从而避免去除氧化层的工艺对介质层造成损耗，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括第一区域和第二区域，凸出于所述第一区域衬底的鳍部为第一鳍部，凸出于所述第二区域衬底的鳍部为第二鳍部；所述第一区域用于形成周边器件，所述第二区域用于形成核心器件；/n在所述半导体基底表面形成伪栅氧化膜以及位于所述伪栅氧化膜表面的伪栅电极膜，在所述伪栅电极膜表面形成图形化的硬掩膜层；/n以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述伪栅电极膜和伪栅氧化膜，在所述第一鳍部表面形成第一伪栅结构并在所述第二鳍部表面形成第二伪栅结构，其中，所述第一伪栅结构包括第一伪栅氧化层和第一伪栅电极层，所述第二伪栅结构包括第二伪栅氧化层和第二伪栅电极层；/n在所述半导体基底表面形成介质层，所述介质层与所述硬掩膜层齐平并露出所述硬掩膜层顶部表面；/n去除所述第一伪栅电极层表面的硬掩膜层和第一伪栅结构，暴露出所述第一鳍部的部分表面并在所述介质层内形成第一开口；/n在所述第一开口底部的第一鳍部表面形成第一栅氧化层；/n在形成所述第一栅氧化层之后，去除所述第二伪栅电极层表面的硬掩膜层和第二伪栅结构，暴露出所述第二鳍部的部分表面并在所述介质层内形成第二开口；/n在所述第一栅氧化层表面、第一开口侧壁以及第二开口的底部和侧壁上形成栅介质层；/n在所述第一开口和第二开口中填充金属层，位于所述第一开口中的第一栅氧化层、栅介质层和金属层构成第一栅极结构，位于所述第二开口中的栅介质层和金属层构成第二栅极结构。/n