[发明专利]复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其制备方法

摘要

本发明公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其制备方法，由n组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆。本发明的复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性，使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数，其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力，并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩，从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率，能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控，同时可以调控晶态电阻。

主权项

1.一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n，其特征在于：由n组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆；相邻的两组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜；n为正整数，Si纳米薄膜的厚度为2nm～10nm，Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度为2nm～10nm，所有Si纳米薄膜的厚度与所有Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度相同。