[发明专利]过渡金属氧化物表面异质外延金属有机框架壳层及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201510923722.9 | 申请日： | 2015-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN105588860B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 姚明水;徐刚;邓韦华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物(TMO)@金属有机框架材料(MOFs)核壳结构一维阵列薄膜，其特征在于，膜厚度2‑10μm，由TMO@MOFs核壳结构组成，其中核心TMO纳米线直径50‑200nm，壳层MOFs厚度从1nm到200nm可调，MOFs的金属节点与有机链可调。典型的制备方法为，对TMO进行ZnO籽晶或咪唑基配体键合后，加入溶有金属盐和有机配体的水和DMF混合溶液中，密封反应釜后加热反应，反应完毕将薄膜表面冲洗干净，在空气中晾干。本发明提供的TMO@MOFs核壳结构一维阵列薄膜具有优异的气敏性能，既能选择性排除湿度干扰，又能通过钴催化作用降低工作温度和提高灵敏度。同时本发明还具有方法简单、成本低廉的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 氧化物 表面 外延 有机 框架 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种TMO@MOFs核壳结构一维阵列薄膜，其特征在于，整体薄膜厚度2‑10μm，阵列薄膜由一维TMO@MOFs核壳结构组成，其中核心TMO纳米线直径50‑200nm，壳层MOFs厚度从1nm到200nm可调，壳层MOFs的金属节点与有机链可调，所述TMO为SnO2、TiO2或WO3，所述MOFs为基于咪唑基配体的Co、Zn双金属混合MOFs。
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