[发明专利]晶振驱动电路在审

专利信息
申请号: 201510925813.6 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN105577140A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K3/012 分类号: H03K3/012
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种晶振驱动电路,包括:第一和第二电流镜和输出路径;第一电流镜包括2个呈镜像PMOS管;第二电流镜包括呈镜像第一和二NMOS管;第一和二电流镜连接形成一个稳定的负反馈环路并输出和电源电压无关的基准电流;第一NMOS管的源极接地,第二NMOS管的源极和地之间连接有第一电阻;输出路径包括第三PMOS管和第三NMOS管,第三和第二PMOS管呈镜像关系;反馈电阻连接到第三NMOS管的漏极和栅极之间;第一电容连接在第一和第三NMOS管的栅极之间;起振前第一NMOS管的栅极为直流偏置;起振后,晶振的交流信号对第一NMOS管的栅极进行交流偏置。本发明能提高晶振的启动速度,同时还能降低电路的功耗。
搜索关键词: 驱动 电路
【主权项】:
一种晶振驱动电路,其特征在于,包括:第一电流镜、第二电流镜和输出路径;所述第一电流镜包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管;所述第二电流镜包括互为镜像的第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一PMOS管的漏极电流和所述第一NMOS管的漏极电流连接形成第一电流路径;所述第二PMOS管的漏极电流和所述第二NMOS管的漏极电流连接形成第二电流路径;所述第一NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的源极和地之间连接有第一电阻,第二电阻连接在所述第一NMOS管的栅极和漏极之间,所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极相连接;所述第一电阻使所述第一NMOS管的栅源电压和所述第二NMOS管的栅源电压不相等,利用所述第一NMOS管和所述第二NMOS管之间的栅源电压差以及所述第一电流路径和所述第二电流路径的电流成比例的关系使所述第一电流镜和所述第二电流镜形成一个稳定的负反馈环路并输出和电源电压无关的基准电流;所述输出路径包括第三PMOS管和第三NMOS管,所述第三PMOS管和所述第二PMOS管呈镜像关系;所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极,反馈电阻连接到所述第三NMOS管的漏极和栅极之间,晶振连接于所述第三NMOS管的漏极和栅极之间;第一电容连接在所述第一NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极之间;起振前所述第一NMOS管的栅极为直流偏置;起振后,所述晶振形成的交流信号通过所述第一电容后输入到所述第一NMOS管的栅极形成交流偏置;利用所述第一NMOS管在直流偏置时电流大于在交流偏置时电流的特征,使得在起振前所述负反馈环路输出的基准电流大、在起振后所述负反馈环路输出的基准电流小;在起振前所述负反馈环路输出的较大的基准电流使所述输出路径输出的启动电流大、从而提高所述晶振的启动速度;在起振后所述负反馈环路输出的基准电流变小使晶振驱动电路的功耗降低。
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