[发明专利]一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法在审
| 申请号： | 201510926997.8 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105366714A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 扶雄辉;贺爱华;刘华基;孟苗;岳攀 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法。该方法首先将铜片依次用乙醇、稀硝酸和蒸馏水超声处理，风干待用；然后将五水四氯化锡与去离子水搅拌混合均匀，形成溶液A；将氢氧化钠和去离子水搅拌混合均匀，形成溶液B，将溶液A和溶液B混合搅拌均匀，将铜片放置在反应釜中，封釜，在140～220℃下水热反应4～48h，自然冷却至室温，反应产物在蒸馏水或无水乙醇中浸洗，干燥，得均匀的纳米柱组成的二氧化锡纳米花阵列。本发明采用水热法在金属铜基片上一步合成二氧化锡纳米花阵列，反应过程不需表面活性剂和任何催化剂作用，制备方法简单，成本低，具有环境友好的优点。所得纳米花阵列形貌可控，产率高，周期短，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法，其特征在于包括如下步骤：1)将铜片依次用乙醇、稀硝酸和蒸馏水超声处理，在空气中风干待用；2)将五水四氯化锡与去离子水搅拌混合均匀，控制溶液的浓度为0.02～6.0mol/L，形成溶液A；将氢氧化钠和去离子水搅拌混合均匀，形成溶液B，氢氧化钠在溶液B中的浓度为1.25～6.56mol/L；将溶液A和溶液B混合搅拌均匀，溶液A和溶液B的体积比为9:1‐1:9；然后将铜片放置在反应釜中，封釜，在140～220℃下水热反应4～48h，自然冷却至室温，反应产物在蒸馏水或无水乙醇中浸洗，干燥，得均匀的纳米柱组成的二氧化锡纳米花阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于暨南大学，未经暨南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510926997.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
