[发明专利]承载环结构及包含该承载环结构的室系统有效
申请号: | 201510929329.0 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN105702617B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及承载环结构及包含该承载环结构的室系统,提供了用在被实施用于沉积膜的室中的承载环以及使用该承载环的室。承载环具有环形盘形状,具有外边缘侧和晶片边缘侧。承载环具有在外边缘侧和晶片边缘侧之间延伸的承载环上表面。晶片边缘侧包括低于承载环上表面的较低的承载环表面。晶片边缘侧还包括多个接触支撑结构。每个接触支撑结构位于较低的承载环表面的边缘且具有介于较低的承载环表面和承载环上表面之间的高度,且接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。台阶被限定在承载环上表面和较低的承载环表面之间。顶面边缘和较低的内边缘中的每一个具有圆的不锐利的边缘且接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触。 | ||
搜索关键词: | 承载 结构 包含 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用在被实施用于沉积膜的室中的承载环,其包括,具有环形盘形状的、有外边缘侧和晶片边缘侧的所述承载环,所述承载环具有在所述外边缘侧和所述晶片边缘侧之间延伸的顶侧,所述晶片边缘侧包括,低于承载环上表面的较低的承载环表面;多个接触支撑结构,每个接触支撑结构位于所述较低的承载环表面的边缘且具有在所述较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面的高度,每个接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角,所述渐变的边缘和拐角由没有锐利拐角的大体上为曲面的表面限定;在所述承载环上表面和所述较低的承载环表面之间的台阶;并且在所述较低的承载环表面和所述接触支撑结构中的每一个之间的每一个过渡处的内接触边缘;其中所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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