[发明专利]石墨烯单晶及其快速生长方法在审
| 申请号： | 201510931329.4 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105386124A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/18;C30B29/64;C25F3/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 烯单晶 及其 快速 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种制备石墨烯单晶的方法，包括如下步骤：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。
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