[发明专利]一种3DNand闪存设备及其制作方法有效
| 申请号： | 201510931832.X | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106887435B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D Nand闪存设备及其制作方法。该3D Nand闪存设备包括：P型衬底、多个阵列串、常规源线CSL，还包括：至少一层隔离层和至少一个P型阱区，其中：所述CSL形成于P型衬底内；在P型衬底上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第一存储层；且在一个P型阱区上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第i存储层，1<i≤M+1，M为所述3D Nand闪存中P型阱区的个数；所述隔离层与所述存储层交错堆叠。本发明的有益效果主要体现在：降低了沟道孔制作的难度及制作成本，提高了沟道孔的均匀度；也避免了直接叠加阵列串时阵列串之间沟道孔的交叠处对电场分布的影响，达到了低成本、高存储单元优良率扩大3D Nand闪存存储容量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 闪存 设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D Nand闪存设备，包括：P型衬底、多个阵列串、常规源线CSL，其特征在于，还包括：至少一层隔离层和至少一个P型阱区，其中：/n所述CSL由形成于P型衬底内PN的结引出；/n在P型衬底上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第一存储层；且在一个P型阱区上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第i存储层，1<i≤M+1，M为所述3D Nand闪存中P型阱区的个数；/n所述隔离层与所述存储层交错堆叠。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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