[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开一种硅基异质接面太阳能电池及其制备方法。所述硅基异质接面太阳能电池，包括一硅基PN接面结构、一第一透明导电膜、一第二透明导电膜、一第一电极以及一第二电极。本发明借由直流电弧放电在低温下高速沉积透明导电膜，该硅基异质接面太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。

主权项

一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包括：    一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙；一第一透明导电膜，设置位于该硅基PN接面结构的一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；一第二透明导电膜，设置位于该硅基PN接面结构且相对于第一电极的另一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；一第一电极，设置于该第一透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流；以及一第二电极，设置于该第二透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流。