[发明专利]石墨烯和有机薄膜复合结构的光触发非易失性存储器及方法有效

专利信息
申请号: 201510933514.7 申请日: 2015-12-15
公开(公告)号: CN105428364B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 尚恩明;胡少坚;陈寿面 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L51/00;G11C16/06
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹英
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种石墨烯和有机薄膜复合结构的光触发非易失存储器及方法,其外部连接有读出电路,其包括:衬底,位于衬底上的栅极,位于栅极上的介质层,位于介质层上的石墨烯,位于石墨烯上的掺杂有机薄膜,位于掺杂有机薄膜两侧的源漏极;源漏极连接读出电路,栅极和源漏极连接有擦除电路,且栅极接地。本发明的存储器在无外部电源时也可以长期保存数据,并且可以大大缩短读写时间和提高器件灵敏度,实现高灵敏度光触发存储;同时石墨烯和有机薄膜作为柔性材料,有利于存储器的柔性集成。
搜索关键词: 石墨 有机 薄膜 复合 结构 触发 非易失性存储器 方法
【主权项】:
1.一种基于石墨烯和有机薄膜复合结构的光触发非易失存储器,其外部连接有读出电路,其特征在于,包括:衬底,位于所述衬底上的栅极,位于所述栅极上的介质层,位于所述介质层上的石墨烯,位于所述石墨烯上的掺杂有机薄膜,位于所述掺杂有机薄膜两侧的源漏极;所述源漏极连接所述读出电路,所述栅极和所述源漏极连接有擦除电路,且所述栅极接地。
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