[发明专利]去除基板表面ITO的方法有效
| 申请号： | 201510937453.1 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105448822B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张迅;张伯伦;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/465 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除基板表面ITO的方法。一种去除基板表面ITO的方法，包括以下步骤：将表面有ITO的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水；及将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8％～10％的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及70％～77％的水。上述去除基板表面ITO的方法成本较低、较为安全、且不易造成基板破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 基板表面 去除 酸液 重量百分比 碱液 酸洗 非离子表面活性剂 醋酸 基板放置 基板破裂 基板清洗 基板 碱洗 盐酸 浸泡 安全 | ||
【主权项】：
1.一种去除基板表面ITO的方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面有ITO的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括20％～25％的盐酸、30％～35％的醋酸及40％～50％的水；及将经过酸洗的所述表面有ITO的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱洗得到除去ITO的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8％～10％的碱、15％～20％的非离子表面活性剂及70％～77％的水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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