[发明专利]一种锗硅光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种锗硅光电探测器及制备方法，所述探测器的外延结构包括在P型Si衬底上依次外延生长本征Si缓冲层，P型重掺杂Ge层，i型Ge层，N型重掺杂Ge层，Si帽层；然后在外延层上蒸镀金属银层，做出特定的网格形状；最后，转移一层石墨烯在金属网格上，退火形成石墨烯金属网格复合透明电极。本发明技术方案能够获得较高质量的石墨烯透明电极，同时避免了原有蒸镀厚金属占用较大的光敏面积的缺点，在相同光敏台面面积下，此复合电极显著地提高了锗硅光电探测器的光谱响应度和耦合效率；此外，石墨烯生长的金属衬底可以重复利用，有效地降低了光电探测器的成本。

主权项

一种锗硅光电探测器，其特征在于，所述器件结构包括在P型掺杂的Si衬底（1）上依次外延非掺杂的Si缓冲层（2），P型重掺杂Ge层（3），i型Ge层作为吸收层（4），N型重掺杂Ge层（5）；所述N型重掺杂Ge层（5）上设置Si帽层（6）；刻蚀形成台面所述的P型重掺杂Ge层（3）上设置钝化层（7）；所述钝化层上开孔，在通孔内壁设置金属电极作为第一电极（8）；所述Si帽层（6）上设置金属银层（9），石墨烯层（10），作为外电路连接的第二金属电极层（11），增透膜层（12）。