[发明专利]一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法在审
申请号: | 201510940330.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105532455A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 王伟 | 申请(专利权)人: | 王伟 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 236000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法,包括:茎尖培养、茎尖消毒、生长组织培养、控制培养条件、幼苗移栽管理等多个步骤。本发明相比现有技术具有以下优点:在室内完成发芽以及育苗的过程,能够不受外界环境的影响,管理更加方便,能够使幼苗生长速度快、遗传性状稳定、生长旺盛和抗病毒能力强,严格控制育苗以及疫苗时的炼苗条件,提高了幼苗的成活率,在培养基中添加纳米助剂,促进细胞吞噬吸收,从而影响幼苗细胞的生理活动,粉煤灰和海泡石中微量元素能够促进幼苗生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 马铃薯 纳米 育苗 方法 | ||
【主权项】:
一种马铃薯茎尖的纳米育苗方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)选择无毒块茎,在发芽室内,控制光温条件为:8000‑10000lx,18‑22℃,12‑14h光照/天,待块茎发芽后,切取1‑2厘米的茎尖,备用;(2)除去茎尖上的小叶,用水冲洗1‑2小时,紫外灯照射30分钟,放入75%酒精中浸泡5‑10分钟,然后在5%的漂白粉溶液种浸泡2‑5分钟,用自来水冲洗,然后放入5%0.125M的升汞溶液中浸泡15‑20分钟,再用无菌水清洗5次即可;(3)用解剖刀从已消毒茎尖的生长点部位切取生长点组织,接种到纳米培养基上,每升培养基包含:0.8mg NAA,2.5mg6‑BA,45mg蔗糖,12mg纳米助剂;(4)控制培养条件为:温度18‑25℃,光照强度2000‑4000lx,培养基PH值为5.8;(5)将育成幼苗根部用自来水冲洗干净,在22‑25℃,湿度70‑80%,光照强度为4000‑6000lx条件下炼苗3‑4天,炼苗完成后移栽即可。
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