[发明专利]无模板晶圆植球工艺在审
| 申请号： | 201510941388.X | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105489514A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种无模板晶圆植球工艺，包括下述步骤：步骤S1，对滚轴充电，使滚轴表面带静电；通过激光扫描，使得滚轴表面具有与晶圆植球区域相对应的静电图形；滚轴旋转中先接触焊料粉，使得滚轴表面对应晶圆植球区域吸附焊料粉；然后通过滚轴与涂有粘性膜的基板接触，使得焊料粉转移至基板上的临时键合胶膜和粘性膜形成的介质层中；基板表面先涂覆有临时键合胶膜，粘性膜涂覆在临时键合胶膜之上；步骤S2，利用键合工艺将基板介质层和晶圆键合在一起；步骤S3，对基板和介质层解键合使带焊料粉的介质层转移到晶圆上；步骤S4，进行回流焊得到焊球；清洗晶圆表面残留物质。本工艺不需要模板，且可以持续生产带有焊料的介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 晶圆植球 工艺 | ||
【主权项】：
一种无模板晶圆植球工艺，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1，对滚轴充电，使滚轴表面带静电；通过激光扫描，使得滚轴表面具有与晶圆植球区域相对应的静电图形；滚轴旋转中先接触焊料粉，使得滚轴表面对应晶圆植球区域吸附焊料粉；然后通过滚轴与涂有粘性膜的基板接触，使得焊料粉转移至基板上的临时键合胶膜和粘性膜形成的介质层中；基板表面先涂覆有临时键合胶膜，粘性膜涂覆在临时键合胶膜之上；步骤S2，利用键合工艺将基板介质层和晶圆键合在一起；步骤S3，对基板和介质层解键合使带焊料粉的介质层转移到晶圆上；步骤S4，进行回流焊得到焊球；清洗晶圆表面残留物质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510941388.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
