[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510941653.4 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105576119A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;帕勒布.巴特查亚;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：S1、在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长GaAs功能层和欧姆接触层；S2、对欧姆接触层和GaAs功能层进行图案化，形成台面；S3、在欧姆接触层表面蒸镀金属电极；S4、选择性腐蚀去除GaAs功能层表面的欧姆接触层；S5、在霍尔元件表面制备一层钝化层。根据本发明制备的霍尔元件，GaAs功能层的掺杂浓度可以非常低，因此拥有非常高的电子迁移率，器件的灵敏度非常高，而传统的低掺杂GaAs不容易形成良好欧姆接触的问题，则由表面的欧姆接触层完美解决，从而能够得到高灵敏度的霍尔元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；金属电极直接和欧姆接触层接触，钝化层覆盖在整个器件表面。
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