[发明专利]键合工艺中去除气泡区域的方法

摘要

本发明涉及一种键合工艺中去除气泡区域的方法，其包括如下步骤：a、将表面晶圆与衬底晶圆进行键合固定；b、确定气泡区域的位置；c、对表面晶圆的背面减薄至所需的厚度，以得到薄晶圆；d、在上述薄晶圆上设置切割道掩膜层，并得到贯通切割道掩膜层的切割道窗口，切割道窗口至少分布于气泡区域外圈对应的切割道上方；e、利用上述切割道窗口对气泡区域外圈对应的切割道进行刻蚀，以去除气泡区域外圈对应的切割道；f、去除上述的切割道掩膜层，并在定位后去除与气泡区域相对应的薄晶圆。本发明工艺步骤简单，与现有工艺步骤相兼容，能有效去除键合工艺中的气泡区域，提高晶圆的利用率以及成品率，适应范围广，安全可靠。

主权项

1.一种键合工艺中去除气泡区域的方法，其特征是，所述去除气泡区域的方法包括如下步骤：（a）、提供所需的衬底晶圆（1）以及表面晶圆（2），并将所述表面晶圆（2）与衬底晶圆（1）进行键合固定；（b）、对键合后的表面晶圆（2）以及衬底晶圆（1）进行检测，以确定气泡区域（3）的位置；（c）、对上述表面晶圆（2）的背面减薄至所需的厚度，以得到位于衬底晶圆（1）上的薄晶圆（5），所述薄晶圆（5）内若干晶圆芯片通过切割道（4）分隔；（d）、在上述薄晶圆（5）上设置切割道掩膜层，并对所述切割道掩膜层选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通切割道掩膜层的切割道窗口，所述切割道窗口至少分布于气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）上方；（e）、利用上述切割道窗口对气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）进行刻蚀，以去除气泡区域（3）外圈对应的切割道（4）；（f）、去除上述的切割道掩膜层，并在定位后去除与气泡区域（3）相对应的薄晶圆（5）。