[发明专利]静电保护电路在审
| 申请号： | 201510947252.X | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105405843A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 田文博;尹航;王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中感微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静电保护电路，其包括：NMOS晶体管，其源极和栅极连接至第一连接端，其漏极连接至第二连接端；PMOS晶体管，其源极和栅极连接至第二连接端，其衬体端与其源极相连，其漏极与所述NMOS晶体管的衬体端相连。与现有技术相比，本发明中的静电保护电路通过PMOS晶体管的击穿电压触发NMOS晶体管的寄生NPN导通，从而降低静电保护电路的触发电压，提高ESD保护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种静电保护电路，其特征在于，其包括：NMOS晶体管，其源极和栅极连接至第一连接端，其漏极连接至第二连接端；PMOS晶体管，其源极和栅极连接至第二连接端，其衬体端与其源极相连，其漏极与所述NMOS晶体管的衬体端相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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