[发明专利]金属-绝缘层-金属电容的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510951611.9 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106847787A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 洪昌贤 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-MetalMIM)电容的结构及其制造方法，该MIM电容包括第一电极层、第二电极层以及倒T型介电层堆叠结构。其中倒T型介电层堆叠结构形成于第一电极层与第二电极层之间。上述的倒T型介电层堆叠结构包括垂直部及水平部连接该垂直部，其中另一介电层图案形成于该垂直部与水平部之间，以形成该倒T型介电层堆叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑绝缘层‑金属(MIM)电容，包含：第一电极层；第二电极层；以及倒T型介电层堆叠结构，形成于该第一电极层与该第二电极层之间。
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