[发明专利]一种低存储电荷快恢复二极管芯片

摘要

一种低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述二极管芯片采用N+/P‑/P+结构或P+/P‑/N+结构，所述二极管芯片的漂移区为P‑型漂移区，在正向偏置时，注入所述P‑型漂移区的少数载流子为电子。采用P‑型漂移区结构，使正向偏置时注入到P‑型漂移区内的少数载流子为电子，利用电子迁移率更高的特点，实现反向偏置转换时，漂移区的电子迅速迁移回N型区，实现恢复速度的提升和存储电荷Qrr值的降低。

主权项

1.一种低存储电荷快恢复二极管芯片，其特征在于所述二极管芯片采用N+/P‑/P+结构，所述二极管芯片的漂移区为P‑型漂移区，在正向偏置时，注入所述P‑型漂移区的少数载流子为电子；所述N+/P‑/P+结构的二极管芯片结构为：在P+型硅单晶衬底上生长有P‑型外延层，在所述P‑型外延层上设置有N+型主结有源区和N+型场限环区；在部分所述N+型主结有源区上方、部分所述N+型场限环区上方及P‑型外延层上表面上设置有氧化硅层；在部分所述N+型主结有源区上方、部分所述N+型场限环区上方及部分所述氧化硅层上方设置有多晶硅场板；在所述多晶硅场板上方、部分所述氧化硅层上方、部分所述N+型场限环区上方设置有钝化层；在所述P+型硅单晶衬底、所述P‑型外延层、所述N+主结有源区、所述N+场限环区、所述氧化硅层、所述多晶硅场板及所述钝化层形成的硅片上形成有少子复合中心；在部分所述N+主结有源区上设置有欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上设置有正面欧姆接触金属；在所述P+型硅单晶衬底背面设置有背面欧姆接触金属。