[发明专利]一种全隔离有源区结构的形成方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种全隔离有源区结构的形成方法，首先在半导体衬底上形成外延层以及顶层硅；然后对外延层以及顶层硅图形化，形成沟槽结构；接着将外延层电解为多孔硅；最后将多孔硅氧化为氧化硅，形成全隔离有源区结构。本发明通过电解工艺将外延层电解为多孔硅，再通过热氧化工艺将多孔硅氧化为氧化硅，不仅能形成较好的致密绝缘层，避免了有源区剥离的风险，降低了生产成本，相比现有的全隔离有源区结构的形成工艺，省去了在SOI衬底上定义有源区的步骤，避免采用大剂量的离子注入以及硅片键合工艺，简化了工艺步骤，且工艺可控，同时与现有的集成电路平面工艺相兼容。

主权项

一种全隔离有源区结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，提供一半导体衬底；步骤S02，采用外延生长工艺在所述半导体衬底上形成外延层；步骤S03，采用外延生长工艺在所述外延层上表面生长顶层硅；步骤S04，对所述外延层以及顶层硅图形化，以在所述外延层以及顶层硅中形成沟槽结构；步骤S05，采用电解工艺将所述外延层电解为多孔硅；步骤S06，采用热氧化工艺将所述多孔硅氧化为氧化硅，形成全隔离有源区结构。