[发明专利]一种高带宽抗弯多模光纤

摘要

本发明涉及一种高带宽抗弯多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数为α，其特征在于所述芯层半径R1为23～27μm，芯层中心位最大相对折射率差Δ1_max为0.9％～1.2％，所述的芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，芯层中心位具有最小氟掺杂量，其氟含量质量百分比为C_F,min,芯层的氟含量质量百分比随半径发生变化，并按函数分布，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层。本发明在带宽性能提高的同时，带宽-波长敏感性降低；不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容，还能支持850nm～950nm波长范围内的波分复用技术，使光纤传输容量得到有效提升；本发明光纤具有优异的抗弯曲性能，可适用于接入网和小型化光器件中。

主权项

一种高带宽抗弯多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈抛物线形，分布指数为α，其特征在于所述芯层半径R1为23～27μm，芯层中心位最大相对折射率差Δ1_max为0.9％～1.2％，所述的芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，芯层中心位具有最小氟掺杂量，其氟含量质量百分比为C_F,min,芯层的氟含量质量百分比随半径发生变化，并按如下函数分布：$C_F\left(r\right)=C_{F,\min }+C_F^{\′}\×\frac{r}{R1}\×(k-\frac{r}{R1})$其中，k为常数，其取值范围为1～2.5；C_F’的取值范围为3×10^‑3～12×10^‑3；所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层。